第五八九章 摩尔定律和半导体工艺制程 (4/7)

sp;  让汪莱安排多组人员分头去攻关这些技术。

    首先提出步进式光刻机的设计逻辑，提出微缩光刻的技术方向。

    原有的光刻工艺中，物理机械手段直接生产的电路板的母版，其精度是有其极限同时也相对不容易提升的。

    但是可以通过曲面透镜投影缩放的方式，照着大模板来生产更小的芯片。

    要求光学厂商配合研发更高精度的镜头。

    然后直接提出浸润式光刻技术的逻辑，让工匠从一开始就直接去走浸润式光刻的方向。

    按照光刻机的逻辑，光源的波长越短，就能够生产出制程越小的芯片。

    但是又不能无限短，最短的X射线会直接穿过物体，导致无法通过透镜和反射来缩放图纸。

    只能在工艺水平大幅度提升后，用在少数有特殊需求的半导体产品上。

    常规光源的升级过程，就是不断地寻找无限接近X射线，但是又不能出现X射线现象的光源的过程。

    最早的光刻机光源是可见的蓝光，波长是450纳米，实现了微米级的工艺。

    在微缩光刻时代，迅速转入不可见的紫外光时代。

    波长降低到了365纳米，实现了800纳米到280纳米的工艺。

    之后很长的一段时间内，就是在紫外光的范围内，持续不断地缩短波长。

    直到波长为193纳米的节点的时候，已经可以用来生产280纳米到65纳米制程芯片了。

    如果按照这个方向继续下去，本来应该去寻找波长157纳米的光源，开始生产45纳米及以下的芯片。

    但是当时的光源开发公司，在研制波长157纳米的光源时遇到了困难，或者说是瓶颈。

    当时的光刻机产业的领头羊尼康在157纳米光源上头铁了很久。

    而台积电的林本坚发现了另外一个方向。

    光进入水中时会发生折射，光源的波长也会有相应的缩短。

    所以193纳米的光穿过一层水之后，就有了等效于134纳米波长光源的效果。

    于是，台积电和阿斯麦尔合作，以林本坚提出的方向为目标，研发出了浸润式光刻机。

    意思就是泡在水里面光刻。

    继续使用193纳米的光源，推动芯片制程从45纳米继续上升，最终的极限做到了7纳米工艺。

    直到深入5纳米制程范围的时候，193纳米的深紫外光源才彻底走到了尽头。

    半导体产业不得不尝试更换波长13.5纳米的极紫外光源。

    所以对于大明而言，当然可以尽快用攻关浸润式光刻技术，但是在新光源的研究上也要不断努力。

    另外，前世所有用过的已经成功的路，当然是已经确定可行的路。

    前世没有采用的道路，也未必是不可行的。

    以现在大明的资源，对于后世出

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