第八百八十六章 ：百万颗碳纳米管集成 (4/5)

基芯片方面的研究。

    在月球背面瑶池环形山的冲击壁上发现的‘瑶池晶’为碳基芯片的研究带来了重大的突破。

    碳纳米管的整齐有序排列难题得到了最大的解决，剩下的，毫无疑问就是抓紧时间一鼓作气将真正的碳基集成芯片研究出来了。

    老实说，在碳基芯片的研究上，徐川能做的并不多。

    一方面是他并不是芯片领域的学者，对这个领域了解甚少。

    另一方面则是芯片的研究和制备，是一个系统性的超级工程。

    严格的来说，芯片的制备，和他当初主持过的可控核聚变工程类似。

    两者都是由一个个的‘区块’组成的。

    就像是搭积木一样，将一块块的积木用工具修成想要的形状后，再组装到一起，变成一栋房屋。

    比如芯片的研发制备，就涉及到电路图规划设计、制造单晶硅圆、薄膜沉积、光刻机曝光、蚀刻注入等离子体.成品封装等多个步骤与流程。

    这中间每一个步骤，每一个流程都需要解决众多的难题。

    比如电路图的设计就关系到功能需求、电路拓扑结构、信号传输速度等多种因素。

    而单晶硅圆的制造同样涉及到超高纯度的单晶硅制备、超光滑切面等等难题。

    可控核聚变技术就更不用多说了。

    无论是高温等离子体湍流的控制，还是第一壁材料，亦或者是氚素的回收都是全世界最顶尖最难的问题。

    若要说区别，当然还是有的。

    芯片的研发制造不会比可控核聚变技术更难。

    因为它已经是西方国家走通了的一条道路，而可控核聚变技术在徐川正式完成之前，前面是没有路的。

    不过相对比可控核聚变技术来说，芯片的研发制备更加的复杂，系统性更加的全面。

    因为它需要的是一个完整的，几乎涉及到所有的工业体系。

    阿斯麦ASML公司生产的EUV极紫外光刻机，其零件来源于欧盟、东亚、北美等多个国家。

    在这方面，别说掌控了ASML的风车国，就是米国，都没有这样的能力能够独自生产制造最顶尖的低纳米芯片。

    全世界唯一有这个工业体系和能力的，只有华国。

    但华国的缺陷在于有完整的工业体系，但涉及到的部分领域距离顶尖还有很远的路要走。

    比如超高纯度单晶硅锭制备技术，目前掌握有这份技术的只有樱花国、米国、日耳曼国等屈指可数的几个国家。

    而EUV极紫外光刻机中使用的超光滑镜片，只有日耳曼国的蔡司公司可以提供。

    所以严格的来说，华国想要以一己之力完成芯片的研发制备，无异于以一国之力去单挑全世界西方国家联合起来过去几十年的研究成果。

    难以突破，是很正常的事情。

    不过现在，另一条更宽敞的赛道就在眼前。

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