第六百一十三章 四大巨头的价格战 (2/6)

sp;  同时使用顶级技术……对手一时半会追不上的10D先进工艺占领高端市场，以维持整体利润。

    这是一套组合拳，是价格战和技术战的双重结合！

    智云半导体部门很喜欢这么打击对手……大多时候效果都挺好的。

    其中的10D工艺，就承担着非常重要的责任：要趁机抢占高端市场，并且在10C工艺的利润迅速降低的时候，以自身利润给整个智云储存业务回血！

    不然到时候10C工艺大规模降价销售，利润暴跌的时候，又没办法用10D工艺回血，这样的话就尴尬了。

    10C以及10D工艺，这是智云集团在内存芯片领域的工艺代称，10C工艺的实际工艺节点为14纳米。

    这也是目前全球范围内大规模量产工艺里最顶级的工艺，该工艺出现的还比较早，一度领先了四星半导体……不过四星半导体没多久就追上来了，没能形成太久的技术优势。

    目前的10C工艺，是智云集团旗下各种高端内存芯片的主要量产工艺，这两年智云集团的很多终端产品里，都能找到采用该种工艺的高端内存。

    目前智云集团旗下的智云储存的HBM3高带宽内存，也就是APO6000显卡上使用的内存，就是采用这一工艺制造。

    智云集团旗下的S系列手机，如去年发布的S20Max Pro旗舰级，上面采用的LPDDR5内存芯片，也是采用这一工艺……智云储存旗下的LPDDR5高性能高速内存，也是目前最顶级的低功耗内存，性能甚至超过了四星的LPDDR5内存产品。

    其原因就是来源于代工生产LPDDR5内存的智云微电子，其10C工艺的所提供的卓越性能。

    现在的10C工艺，依旧是目前量产工艺里的顶级工艺，当然，已经无法大幅度领先对手了。

    因为四星半导体，镁光，海力士都已经陆续追上来并拥有了该级别工艺……他们的同级别工艺有好有坏，但是整体处于同一级别，区别不是很大。

    现在，智云微电子在内存工艺领域里，已经是全力朝着更先进的10D工艺冲击，其工艺节点为12纳米。

    智云微电子的内存芯片的工艺划分，早期是采用30纳米，25纳米，20纳米！

    后来进入十纳米工艺时代后，第一代采用10A工艺，实际工艺节点为18纳米。

    第二代10B工艺，实际工艺节点为16纳米。

    第三代10C工艺，实际工艺节点为14纳米……这一代工艺开始，智云微电子开始采用EUV光刻机制造内存芯片的部分核心工序。

    而第四代的10D工艺，实际工艺节点为12纳米……

    这个10D工艺的技术水平是非常高的，属于目前世界上技术最先进的内存芯片工艺，没有之一，哪怕是四星半导体想要追上来都困难的很。

    而且这种工艺对先进设备的要求也非常高，10D的很多工序里，已经需要大规模使用最先进的HEUV-300C光刻机了。

    之前的10C工艺节点里，可用不着这种顶级家伙，用的还是HEUV-300B光刻机，并且也只是在少量的核心工序里使用。

    而10D工艺，则是需要更先进的HEUV-300C光刻机，并且应用工序更多……这意味着性能更优秀，但是制造成本也更高。

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