第四百八十三章 八月新机，横扫全场 (3/6)

工艺，则是在十二纳米工艺的基础上进一步提升，把晶体管密度做到了每平方毫米五千五百万个，几乎是把双重曝光技术压榨到了极限。

    而到了现在的等效七纳米工艺，则是采用了全新工艺的四重曝光技术，晶体管密度直接飙升到了每平方毫米一亿个！

    这也是S903芯片的体积更小，但是性能却是比S803芯片更加强悍的核心原因。

    徐申学继续介绍道：“S903芯片，采用了全新的智芯6.8构架，拥有六个CPU核心，包括两个高性能核心，四个低能耗核心。”

    “结合了我们智云的领先的专属动态主频技术，能够非常好的平衡手机在性能和能耗之间的选择，进而确保手机的整体续航时间，同时在在需要性能的时候拥有足够的性能！”

    “在CPU性能上，新的S903芯片比上一代的S803芯片提升了百分之五十五！”

    “我们的S903芯片，拥有全新一代的AP90构架，采用了四个GPU核心，在综合图形处理能力大幅度加强，对比上一代的S803芯片的图形处理能力，提升了百分之六十！”

    “不仅仅CPU和GPU性能上的大幅度提升，更重要的是我们的S903芯片在性能提升的同时，还大幅度降低了功耗，S903芯片对比S803芯片，功耗下降了百分之三十，这意味着我们的新手机续航时间更久！”

    “同时，我们的S903芯片里采用的AP90构架，这个全新一代研发的GPU构架，加入了对人工智能技术的支持，协同我们的S903芯片里的AI协处理核心，可以非常完美的支持人工智能技术，为人工智能提供充足的本地算力支持！”

    “这将会体现在我们在新S18手机上，推出来的一系列人工智能技术上！”

    “此外我们的S903芯片在通讯基带，ISP核心、内存支持核心、电源管理核心等其他核心功能都有所加强。”

    “S903芯片，就是当今地球上最强悍的手机SOC，没有之一！”

    “甚至它的综合性能，已经超过了绝大部分电脑！”

    徐申学在上头各种吹嘘S903芯片，身后的大屏幕上也出现了众多S903芯片的PPT介绍，这一吹，足足吹了接近十五分钟。

    如果加上之前的对七纳米工艺长达十分钟的介绍和吹嘘，光是介绍七纳米工艺和S903芯片，徐申学就用了二十五分钟！

    介绍了S903芯片之后，徐申学又道：“当然，一台手机要想获得顶级的性能，除了最核心的SOC芯片外，也需要最顶级的内存芯片以及闪存芯片来提供支持！”

    “而在新款的S18Max手机上，我们一如既往的采用了最顶级的储存芯片！”

    “S18Max上的内存芯片采用的是智云储存最新一代的LPDDR4X芯片，采用了当代最顶级的10B2工艺制造，其速率达到4266MHZ的，速度带宽达到了三十四GB\/S！”

    “而这样的顶级内存，我们将会在S18 Max上部署8GB！”

    这个内存芯片里的10B2，就是去年的10B工艺的升级版，区别不是很大，真实半金属间隔都是十六纳米，有的只是一些小幅度升级，不过这些小细节就没必要拿出来说了。

    至于更进一步的10C，这东西用目前的DUV浸润式光刻机没法搞，成本太贵了，只能等EUV光刻机才能上马10C工艺了。

    “闪存芯片上，今年我们的S18Ma

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