第三百一十章 未来的万亿美元市场 (2/6)

r \/>　　实际上在28纳米开始，各半导体厂商就已经开始着手这个问题并进行解决了，使用双重曝光，使用3D晶体管等技术。
　　这些都是为了在现有DUV浸润式光刻机134纳米光源波长的极限下，进一步缩小晶体管尺寸，提升晶体管密度。
　　智云微电子也不例外，早早就开始搞多重曝光技术以及3D晶体管技术。
　　如今正在试产的十四纳米工艺，就是采用了双重曝光加上3D晶体管技术。
　　不过双重曝光也搞不了等效七纳米工艺啊，怎么办？
　　智云微电子那边提出来了更加复杂的多重曝光工艺，简单上来说，就是他们想要来个力大飞砖，直接上马四重曝光技术，强行实现等效7七纳米的量产。
　　但是多重曝光技术，得需要光刻机的套刻精度支持。
　　这也是海湾科技这边继续死磕套刻精度的缘故，在HDUV-400型号以及500型号之后，又迅速上马了600型号。
　　此时王道林道：“如果一定要使用DUV浸润式光刻机生产五纳米芯片的话，按照我们的计算，如果不考虑良率问题，不计成本的话，使用600型号光刻机，勉强也能生产一些等效五纳米工艺的芯片。”
　　“如果要考虑成本问题，考虑商业应用的话，少说也得搞个一点五纳米套刻精度的光刻机出来，这样才能把良率控制在一定范围内。”
　　“但是一点五纳米工艺的套刻精度，这个太难了，这个套刻精度我们规划是放在EUV光刻机上的，而且还是第二代EUV光刻机！”
　　“我们规划中的第一代EUV光刻机，设计采用的还是两纳米的套刻精度呢，设计指标是主要用于等效七纳米工艺的生产。”
　　“规划中的第二代EUV光刻机，才会使用一点五纳米的套刻精度，继而实现等效五纳米的工艺节点！”
　　听着王道林的话，徐申学道：“EUV光刻机这事，还是要加速研发，争取三年内弄个样机出来！”
　　王道林道：“样机的话，倒是有一定把握，但是要要距离完全实用化，恐怕会很久！”
　　“目前我们在EUV光刻机的技术推动上，还存在大量需要解决的技术难题。”
　　“其中光源部分还算是比较容易的，因为我们获得了不少国外的EUV光源的技术，甚至连整个光源系统的完整设计方案都有，但是即便是相对容易的光源部分，我们现在搞起来也非常麻烦。”
　　“虽然我们获得了完整的EUV光源设计方案，却是没有相应的设备，材料，加工工艺把它造出来。”
　　“如今我们在光源领域，是巧妇难为无米之炊，方案不少，但是全都是因为缺乏材料或零部件无法成行！”
　　“为此，我们已经被迫修改了六次设计方案，一次一次的降低技术要求，或者是通过其他办法来实现技术要求！”
　　王道林说到这里的时候，不由得叹了口气：“尽管这些年我们追赶的很快，但是他们几十年的技术积累，不是那么好追赶啊！”
　　徐申学道：“人家数十年积累，我们想要短时间内追赶自然是有难度的。”
　　“但是也不要灰心，要相信我们华夏人的脑子是足够聪明的，是可以完成诸多看似不可能完成的任务的！”
　　你可以不相信其他的，但是你可以相信科研系统的能力，但是这种话就不能说出来了。
　　所以徐申学道：“我们也只是用了几年时间而已，就把这个DUV浸润式光刻机搞出来了，而EUV光刻机虽然更难，但是并不意味着搞不了！”
　　“要有信心！”
　　这个时候，王道林也是笑道：“徐董你说的对，这方面我还是着相了！”
　　“说到这个追赶的问题，因为我们在光源领域的基础比较差，目前实验室里能够实现的光源功率还不太够，达不到ASML的水平，我们一方面是持续提高光源功率，而另外一方面也是通过采用其他一些技术来降低光源功率在反射过程里的损耗，使得比较低功率的光源系统也能够满足生产需求！”
　　“这个过程里，我们的工程师也获得了不小的技术进展，我们尝试了使用双反射镜来聚焦，汇集光源，这比ASML采用的六面反射镜要更加简洁，并降低了光源的损耗，这不仅仅意味着可以大幅度降低对光源系统功率的依赖，同样也能够大幅度节省能耗，进一步降低芯片制造成本。”
　　“这是一非常有前景的技术突破，我们目前正在对双面反射镜技术进行深入研发！”
　　徐申学听罢笑道：“就是要这样，这才是我们搞技术研发所需要的态度，不要钻牛角尖，也不要强行硬抄，并不是别人这么做，我们就一定要原封不动的跟着做。”
　　“要能够跳出来看待问题，找到问题，然后解决问题！”
　　徐申学整体对海湾科技这边的技术推动进度还是比较满意的，虽然EUV光刻机搞起来有些麻烦，但是他们已

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